陶志闊 ，男，導師。

簡介：
博士，1981年9月生。 2004年6月畢業(yè)于南京大學物理系磁學專業(yè)，獲學士學位，2010年3月畢業(yè)于南京大學物理系微電子學與固體電子學專業(yè)，獲博士學位，2008年10月 至2009年4月通過教育部公派項目于澳大利亞悉尼大學進行合作研究，2010年3月至南京郵電大學電子科學與工程學院工作。 近年來，作為主要研究人員，參與并完成了多項國家“863”計劃，“973”重點研究計劃以及國家自然科學基金項目。目前作為項目負責人，承擔國家自然科 學基金青年基金項目、江蘇省高校自然科學基金項目和南京郵電大學引進人才基金項目各一項。迄今，在Journal of Crystal Growth，Applied Physics Letters, Chinese Physics Letters等國際SCI期刊、國內(nèi)核心期刊上發(fā)表論文十余篇，獲得多項專利授權(quán)。
研究方向為半導體材料與器件，磁電子材料與器件。尤其是以GaN為代表的III族氮化物光電信息材料、寬禁帶磁性半導體材料、納米磁性復合材料的電磁性能、光學性能研究，以及相關自旋電子學器件設計與特性研究。

Email： zhktao@163.com

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