復(fù)旦微電子考研 正文

專業(yè)課

復(fù)旦專業(yè)課的難點在于內(nèi)容多，而不在于深，看這科忘那科，考試重難點固定，以往題型風(fēng)格估計固定，近兩年有所改變，但是考試重難點還是相對固定。
本人準備考研比較晚，當(dāng)我還在看模電之時，別人已開始模集第二輪了，此時五月初，直到五月末把模電扎扎實實過完一遍；接著啃模集，因為本科未上過此課程，所以看起來還是很比較頭疼，經(jīng)常因為一個點想很久，花了較多時間，差不多七月中旬才結(jié)束；接下來的一個月把數(shù)電看了一遍。由于數(shù)集考試重點章節(jié)本科學(xué)過一些，所以就準備暫時擱置，把前面復(fù)習(xí)的三門課再過一遍，直到十月，用了一周多時間把數(shù)集看了，接著后面時間開始刷真題，查漏補缺直到考試，最后專業(yè)課成績130+。下面講講各門課程各門課程的具體情況：

1.模電 (50分）

一般以清華大學(xué)童詩白或者復(fù)旦大學(xué)陳光夢所著教材為主， 個人建議以童詩白教材為復(fù)習(xí)主線，因為此書更加詳細，而且考試試題的風(fēng)格也偏向于此書，然后結(jié)合考試大綱，再利用復(fù)旦陳光夢的教材就某些童所著教材未涉及的知識點進行補充。童教材后面的所有習(xí)題做兩遍，在做第二遍之時應(yīng)該標記某些自己覺得有難度的題，以便后期針對性復(fù)習(xí)；陳教材的部門習(xí)題也要完成。

此部分考試試題相對簡單，通常情況下試題類型為簡答題，填空題、計算題，其中簡答題主要是解釋一些基礎(chǔ)概念，平時復(fù)習(xí)應(yīng)當(dāng)重視，填空題會涉及概念及簡單計算，計算題主要為多級放大電路靜、動態(tài)參數(shù)求解計算、反饋、理想運放應(yīng)用等。此部分題型相對簡單，把握好教材課后習(xí)題至關(guān)重要。

2.數(shù)電（50分）

數(shù)電復(fù)習(xí)看復(fù)旦陳光夢所著教材就行，考試只考前四章內(nèi)容，課后習(xí)題做兩遍，部分題有難度，可以多思考思考，不要急于看答案，在邏輯函數(shù)化簡部分，可以參考清華大學(xué)唐競新所編的習(xí)題冊進行練習(xí)，只需要做第一章習(xí)題即可。此部分試題類型一般為根據(jù)一定的要求，對所給邏輯函數(shù)進行化簡、根據(jù)題意及相關(guān)要求設(shè)計電路。數(shù)電部分既容易得分又容易失分，因為一道題十多分通常只有一個問，若沒有思路，可能一分不得，所以在復(fù)習(xí)時要多花功夫。

3.模集 （20分）

此部分的復(fù)習(xí)教材為拉扎維所著的《模擬 CMOS 集成電路設(shè)計》 ，看中文版就 ok，譯者為西電陳貴燦，此部分考試雖然只有 20 分，但復(fù)習(xí)內(nèi)容多且難，個人在復(fù)習(xí)時大概花了一個半月，考試內(nèi)容集中在三、四、五、六、九章，其中第三章為后續(xù)章節(jié)的基礎(chǔ)，因此一定要弄透徹。此部分的試題類型通常為畫 Vin-V out 轉(zhuǎn)移特性曲線、電壓增益、傳輸函數(shù)、零極點等，考試難度不會高于課后習(xí)題。

4.數(shù) 集（20分）

此部分的復(fù)習(xí)教材為伯克利的數(shù)字集成電路設(shè)計，其譯者為周潤德，考試內(nèi)容一般集中在第三、五、六章節(jié)，此部分難度不大，將其相關(guān)習(xí)題消化掉就 ok，考試風(fēng)格也與課后習(xí)題類似。

5. ASIC （10分）

此部分考試內(nèi)容非常寬泛，重在考查大家的學(xué)科素養(yǎng)，可以從 VHDL 考到工藝，所以比較考驗大家的內(nèi)功，平時多多積累，前期不用刻意去復(fù)習(xí)，考試前可以總結(jié)下往年考試試題，臨時突擊下就好，一切隨緣。


 統(tǒng)考部分

復(fù)旦微電子學(xué)碩考英語一、數(shù)學(xué)一，專碩考英語二、數(shù)學(xué)二，政治相同。相較于其他很多專業(yè)， 考復(fù)旦微電子的學(xué)生在統(tǒng)考科目上所花的時間可能會比較少，因此要特別注重復(fù)習(xí)安排與效率。市面上的復(fù)習(xí)參考書目也就幾種。

復(fù)旦大學(xué)

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