浙江理工大學(xué)理學(xué)院導(dǎo)師：崔燦 正文

　　姓名：崔燦　
　　性別：男　
　　職稱：副教授　
　　所在學(xué)院：理學(xué)院　

　　個(gè)人簡(jiǎn)介：
　　崔燦，副教授、博士、碩士生導(dǎo)師。
　　1997.09~2001.06 浙江大學(xué) 物理學(xué)專業(yè) 本科
　　2001.09~2006.06 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室材料科學(xué)與工程專業(yè) 博士
　　2006.06~2007.09 浙江理工大學(xué) 理學(xué)院 講師
　　2008.01~2009.09 日本東北大學(xué)（Tohoku Univ.）金屬材料研究所/國(guó)立物質(zhì)材料研究所（NIMS） COE研究員
　　2010.06~2010.8 日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所（NIMS） 訪問(wèn)學(xué)者
　　2007.09~至今 浙江理工大學(xué) 理學(xué)院 副教授

　　主講課程
　　《光電新材料導(dǎo)論》、《表面物理分析技術(shù)》和《光電材料與應(yīng)用》

　　主要研究方向
　　方向1：半導(dǎo)體材料與器件
　　硅材料的制備、雜質(zhì)和缺陷，以及硅材料在太陽(yáng)電池和集成電路中的應(yīng)用；納米半導(dǎo)體材料的制備和光伏、光催化性質(zhì)
　　方向2：準(zhǔn)晶材料制備和物性
　　單準(zhǔn)晶材料的制備，物性和表面性質(zhì)研究。

　　科研項(xiàng)目
　　1．國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，Ag-In-Yb正二十面體準(zhǔn)晶單晶的表面結(jié)構(gòu)和異質(zhì)薄膜生長(zhǎng)，11074220，42萬(wàn)，2011.01~2013.12，排名1
　　2．國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，陣列化半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備及其在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用60806045，20萬(wàn)，2009.01~2011.12，排名1
　　3．浙江省自然科學(xué)基金，大塊Ag-In-Yb準(zhǔn)晶單晶及其近似相單晶的制備和物理性質(zhì)研究，Y4100310，8萬(wàn)，2010.06~2013.06，排名1
　　4．國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，成分連續(xù)變化薄膜技術(shù)與相圖快速測(cè)定研究 50672088，30萬(wàn)，2007.01~2009.12，排名2
　　5．國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，微鍺摻雜直拉硅單晶氧和微缺陷的研究 50572094，27萬(wàn)，2006.01~2008.12，排名6
　　6．浙江理工大學(xué)科研啟動(dòng)項(xiàng)目，中子輻照對(duì)直拉硅單晶中氧沉淀及內(nèi)吸雜的影響，2萬(wàn)，2007.1-2008.12，排名1
　　7．橫向合作項(xiàng)目，低應(yīng)力單晶硅及硅片的研究和開(kāi)發(fā)，40萬(wàn)，2006.12-2007.4，排名3

　　代表性論文
　　1．Can Cui, and An Pang Tsai, Growth of large single-grain quasicrystals in the Ag-In-Yb system by Bridgman method, Journal of Crystal Growth, 312 (2010) 131-135.
　　2．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen precipitation in neutron-irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon crystal, J. Appl. Phys., 104 (2008) 123523.
　　3．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Ming Li, Oxygen precipitation in Czochralski silicon: Effect of ramped anneal from 300 to 750 C, J. Appl. Phys., 103 (2008) 064911.
　　4．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen diffusion in Czochralski silicon at 450-650 C, Phys. Stat. Sol. (a), 205 (2008) 1148-1151.
　　5．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on oxygen precipitates profiles in Czochralski silicon wafer, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 4903-4907.
　　6．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Effect of annealing atmosphere on oxygen precipitation and formation of denuded zone in Czochralski silicon wafer, Phys. Stat. Sol. (a), 203 (2006) 2370-2375.
　　7．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ming Li, and Duanlin Que, Effect of light germanium-doping on thermal gonors in Czochralski silicon wafers, Materials Science in Semiconductor Proceeding, 9 (2006) 110-113. 　　
　　8．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on denuded zone formed by rapid thermal process in Czochralski silicon wafer, Physica B, 376-377 (2006) 216-219.
　　9．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Liming Fu, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation within denuded zone founded by rapid thermal processing in Czochralski silicon wafers, Chinese Physics Letter, 9 (2005) 2407-2410
　　10．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation in neutron-irradiated Czochralski silicon annealed at elevated temperature, Phys.Stat.Sol. (a), 202(13) (2005) 2442-2447
　　11．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen on denuded zone in Czochralski silicon wafer, Semiconductor Science and Technology, 19 (2004) 548-551
　　12．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on the minority carrier lifetime in Czochralski silicon, Microelectronic Engineering, 66 (2003) 373-378。

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