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碩士研究生招生考試業(yè)務(wù)課考試大綱

考試科目： 半導(dǎo)體物理 科目代碼： 862

一、考試目的和要求

本《半導(dǎo)體物理》考試大綱適用于紹興文理學(xué)院集成電路器件物理與工程專業(yè)碩士研究

生的入學(xué)考試。本科目考試的重點(diǎn)是要求熟練掌握半導(dǎo)體中電子狀態(tài)、運(yùn)動規(guī)律、能帶結(jié)構(gòu)

和基本電學(xué)特性等問題。掌握半導(dǎo)體物理中一些特殊問題的處理方法，例如載流子濃度的計(jì)

算、pn 導(dǎo)電類型的判斷、愛因斯坦關(guān)系式的推導(dǎo)等，并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識分析問題和

解決問題的能力。

二、考試基本內(nèi)容

（一）半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)

半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)；半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動、有

效質(zhì)量；本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)、空穴；了解硅、鍺、砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)。

（二）半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級

硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級；會進(jìn)行淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計(jì)算；理解雜質(zhì)的補(bǔ)償作用；

深能級雜質(zhì)；缺陷、位錯能級；了解 III－V 族化合物中的雜質(zhì)能級。

（三）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

理解 k 空間、狀態(tài)密度函數(shù)、費(fèi)米分布函數(shù)；費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布；會進(jìn)行本

征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度的計(jì)算；一般情況下的載流子分布；簡并半導(dǎo)體。

（四）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

載流子的漂移運(yùn)動和遷移率的意義；掌握載流子散射的概念和主要的散射機(jī)構(gòu)；理解遷

移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系。

（五）非平衡載流子

理解非平衡載流子的注入和復(fù)合；非平衡載流子的壽命；掌握準(zhǔn)費(fèi)米能級、復(fù)合理論、

陷阱效應(yīng)；理解載流子的擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動；掌握愛因斯坦關(guān)系式；會進(jìn)行簡單情況連續(xù)

性方程式的推導(dǎo)及計(jì)算；了解少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長度。

（六）P－N 結(jié)

理解 pn 結(jié)空間電荷區(qū)和能帶圖；掌握理想 pn 結(jié)電流-電壓特性；了解非理想 pn 結(jié)因素；

了解 pn 結(jié)電容的來源；掌握突變結(jié)勢壘區(qū)電勢、電場的分布；理解 pn 結(jié)擊穿和隧道效應(yīng)。2

三、考試方式

閉卷，筆試

四、考試知識點(diǎn)

五、參考書目

1. 《半導(dǎo)體物理學(xué)》，劉恩科主編，電子工業(yè)出版社，2017 年 2 月版；

2. 《半導(dǎo)體物理與器件》（第四版），趙毅強(qiáng)等譯，電子工業(yè)出版社，2018 年 6 月版。

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