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四川大學934半導體物理及器件基礎考研真題資料是由在校研究生學長學姐悉心收集整理的考研資料，能幫助報考相關(guān)專業(yè)的考生更有效的提高考研專業(yè)課復習效率，了解本專業(yè)考研題型、考研重點、考研難度等，做到輕車熟路，勝券在握。
ps：考研真題是考研備考必備資料，比看幾本厚厚的復習書更有效。
適用專業(yè)：
等離子體物理、微電子學與固體電子學等等
參考書目：
官網(wǎng)暫未公布，考生可參照招生簡章（資料不包含參考書目哦）
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一、四川大學考研真題：《934半導體物理及器件基礎考研真題》：2011 2013 2014 2015 2016
（真題是考研必備的資料，歷年考題的重復度極高，做歷年考研真題，能讓你掌握知識點的重要部分，根據(jù)真題，可以分析最近幾年的的出題趨勢，考題類型，重點難點、甚至重題等。因為四川大學真題重復率極高，故學校從15年后封題，以上真題彌足珍貴）
二、四川大學934半導體物理及器件基礎考研資料：1、半導體物理與器件復習資料：
（1）《四川大學《半導體物理與器件》教學大綱》 3頁 （本資料為川大內(nèi)部教學大綱，劃出書本重難點，節(jié)省考生復習時間）
（2）《四川大學《半導體物理與器件》課后小結(jié)與重要術(shù)語解釋》 13頁 （本資料按章節(jié)整理，條理清晰，內(nèi)容全面，適合考生復習）
（3）《四川大學半導體內(nèi)部講義》 38頁 （本資料為考研內(nèi)部講義ppt，適合考生進行復習整理）
（4）《四川大學半導體物理(劉恩科)詳細歸納總結(jié)》 24頁 （本資料分章節(jié)給出各章的習題以及答案，方便考生進行練手）
（5）《四川大學半導體物理本科試卷》3頁 （本資料為川大內(nèi)部本科期末試卷，與考研題型相似，含金量高）
（6）《四川大學半導體物理內(nèi)部筆記》 28頁 （本資料為手寫筆記，方便考生進行復習和整理）
（7）《四川大學半導體物理學(劉恩科)第六、七版一到八章課后題答案》 49頁 （本資料為上課課本課后習題的答案，全面詳盡，考生可結(jié)合課本一起復習）
2、VLSI設計基礎復習資料：
（1）《四川大學VLSI_復習題與思考題》 25頁（本資料給出各章的思考題，均為常考題，適合考生復習）
（1）《四川大學VLSI_復習題與思考題》 25頁（本資料給出各章的思考題，均為常考題，適合考生復習）
（2）《四川大學VLSI設計基礎復習資料》13頁（本資料共給出30個復習題，含金量很高，考生應予以重視）
3、微電子復習資料：
3、微電子復習資料：
（1）《四川大學微電子工程學復習題》 10頁（本資料分章節(jié)整理，為每章重點復習題，方便考生進行練手）
（2）《四川大學微電子復習總結(jié)修訂版》 4頁 （本資料分章節(jié)整理出各章的名詞解釋，方便考生進行記憶和整理）
（3）《四川大學微電子學概論復習題及答案(詳細版)》 20頁（本資料分章節(jié)給出重點問題，含金量十分高，節(jié)省復習時間）
三、四川大學934半導體物理及器件基礎考研贈送電子版資料：
三、四川大學934半導體物理及器件基礎考研贈送電子版資料：
（1）《半導體物理_(劉恩科_教材版本)》
（2）《半導體物理_復習(劉恩科)》
（3）《半導體物理基礎》
（4）《微電子制造科學原理與工程技術(shù)課程復習》
（5）《微電子制造科學原理與技術(shù)(1+2)》
（6）《微電子制造概論-考試復習提綱》
資料使用說明：
1、考研真題極為寶貴，希望你能夠在所有知識點都復習全面后，再用它來做正式的模擬。做真題時要注意計時，第一遍時間緊張沒關(guān)系，分析這個題目的考點在哪里然后深入記憶，將考點弄懂并標記。第二遍，依舊按照考試時間來，重點在那些有標記的題，還不會的繼續(xù)標記，再次強化這個知識點。做真題一定要分析考點，重點復習自己薄弱的考點。
2、筆記更多的是輔助，最根本的是要理解課本，理解考點。筆記要結(jié)合使用，不能完全依賴筆記。
溫馨小貼士：十月份和十一月份，是最關(guān)鍵的兩個月，此時生活要簡單規(guī)律，適當鍛煉（切忌生病），集中精力，堅持到最后。
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